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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2573 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 中文描述： | 20 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TOP3E, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SK2573 |
2
Power F-MOS FETs
2SK2573
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
IAS
L-load
I
D
V
GS
R
DS(on)
I
D
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
| Y
fs
|
I
D
t
on
, t
f
, t
d(off)
I
D
0
50
40
10
Drain current I
D
(A)
30
20
0
16
12
4
10
14
8
2
6
V
DS
=25V
T
C
=25C
F
f
|
10
–1
Drain to source voltage V
DS
(V)
1
10
10
2
10
3
10
–1
10
2
10
1
Non repetitive pulse
T
C
=25C
t=1ms
10ms
100ms
DC
I
D
I
DP
D
D
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
200
50
150
100
10
10000
1000
100
30
300
3000
C
iss
C
oss
C
rss
f=1MHz
T
C
=25C
I
R
i
,
o
,
r
10
–2
10
–1
L-load (mH)
1
10
10
–1
10
2
10
1
E=20mJ
T
C
=25C
A
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
10
8
2
6
4
0
30
25
20
15
10
5
V
DS
=25V
T
C
=25C
D
D
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
160
120
40
100
140
80
20
60
P
D
=3.0W
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) Without heat sink
(1)
(2)
(3)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0
50
40
10
Drain current I
D
(A)
30
20
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
C
=25C
V
GS
=10V
15V
D
D
)
0
25
20
5
Drain current I
D
(A)
15
10
0
800
600
200
500
700
400
100
300
V
CC
=150
V
GS
=10V
T
C
=25C
t
d(off)
t
on
t
f
S
o
,
f
,
d
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2593 | Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK2595 | Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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