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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2573(TENTATIVE) |
| 英文描述： | 2SK2573 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET |
| 中文描述： | 2SK2573（暫定） - N溝道功率的F -場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK2573(TENTATIVE) |
2SK2553
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
E
AR
Pch
Note 2
60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
50
A
Drain peak current
Note 1
200
A
Body to drain diode reverse drain current
50
A
Avalanche current
Note 3
45
A
Avalanche energy
Note 3
174
mJ
Channel dissipation
75
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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