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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2482 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | 2SK2482 |
2SK2482
4
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
r
t
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
10
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
10
0.001
0.01
0.1
1
100
1 000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
5
20
30
Pulsed
5
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
–50
0
50
100
150
0
Single Pulse
T
c
= 25 C
10
R
th(ch-a)
= 41.7 (C/W)
R
th(ch-c)
= 1.25 (C/W)
I
D
= 5 A
2.5 A
1 A
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
V
= 20 V
Pulsed
0.01
0.1
1.0
10
100
1.0
10
0.1
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1.0
5
10
100
Pulsed
V
GS
=10 V
0
1
2
3
4
6
7
8
0.1
10
μ
100
μ
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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