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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2412 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | 2SK2412 |
2SK2412
4
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
100
10
1
0.1
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
r
t
(
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
100
10
1
0
10
100
I
D
- Drain Current - A
120
100
80
60
40
20
0
0
5
10
15
20
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
2.0
–50
1.5
1.0
0.5
0
0
50
100
150
T
ch
- Channel Temperature - C
120
1
I
D
- Drain Current - A
100
60
40
20
0
10
100
R
D
|
f
|
R
D
V
G
80
1
–25
25
75
125
Single Pulse
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
V
DS
= 10 V
Pulsed
I
D
= 10 A
Pulsed
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
V
GS
= 4 V
Pulsed
V
GS
= 10 V
R
th (ch-c)
= 4.17 C/W
R
th (ch-a)
= 62.5 C/W
μ
μ
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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