參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2375
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Silicon N-Channel Power F-MOS FET
中文描述： 8 A, 900 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TOP3E, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SK2375
2
Power F-MOS FETs
2SK2375
Area of safe operation (ASO)
P
D
Ta
I
D
V
GS
V
th
T
C
V
DS
V
GS
R
DS(on)
I
D
| Y
fs
|
I
D
C
iss
, C
oss
, C
rss
V
DS
t
on
, t
f
, t
d(off)
I
D
1
Drain to source voltage V
DS
(V)
10
100
1000
3
30
300
0.1
100
10
1
0.3
3
30
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
DP
DC
I
D
t=100
μ
s
1ms
10ms
100ms
D
D
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
20
40
60
80
100
120
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
D
=3W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
A
D
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
8
2
6
4
7
1
5
3
0
1
2
3
4
5
6
7
150C
100C
25C
0C
T
C
=150C
V
DS
=25V
D
D
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
I
D
=1mA
Case temperature T
C
(C)
G
t
0
Gate to source voltage V
GS
(V)
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
10
70
50
30
T
C
=25C
I
D
=16A
2A
4A
8A
D
D
0
8
2
6
4
7
1
5
3
0
1
2
3
4
5
T
C
=150C
V
GS
=10V
100C
0C
25C
Drain current I
D
(A)
D
D
)
0
2
4
6
8
1
3
5
7
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
=25V
150C
100C
25C
T
C
=0C
Drain current I
D
(A)
F
f
|
0
Drain to source voltage V
DS
(V)
200
160
120
80
40
10
10000
1000
100
30
300
3000
C
iss
C
oss
C
rss
f=1MHz
T
C
=25C
I
R
i
,
o
,
r
0
12
10
8
2
6
4
0
500
600
400
300
200
100
V
DD
=200V
V
GS
=10V
T
C
=25C
t
d(off)
t
f
t
on
Drain current I
D
(A)
S
o
,
f
,
d
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PDF描述
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