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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2366 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 121K |
| 代理商： | 2SK2366 |
2SK2365/2SK2366
5
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
1.5
Q
g
- Gate Charge - nC
V
D
0
10
20
30
40
400
300
200
100
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
–50
0
50
100
150
1.0
0.5
0
0
I
D
= 10 A
5 A
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
1.0
I
D
- Drain Current - A
10
100
10 000
t
r
1 000
0.1
100
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
16
14
12
10
8
6
4
2
I
D
= 10 A
V
DD
= 400 V
250 V
125 V
V
GS
V
DS
10
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
1.5
100
10
1.0
0.1
1.0
0.5
0
Pulsed
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
10
100
1 000
10 000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
1 000
100
101
V
GS
= 0
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
1.0
I
D
- Drain Current - A
10
100
1 000
t
d
,
r
,
d
,
f
100
0.1
10
1.0
V
DS
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
r
t
f
t
d (off)
t
d (on)
VGS = 10 V
di/dt = 50 A/ s
V
GS
= 0
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PDF描述 |
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