參數(shù)資料
型號: 2SK2365
廠商: NEC Corp.
元件分類: MOSFETs
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大小: 121K
代理商: 2SK2365
2SK2365/2SK2366
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
1.5
V
DS
= 10 V
Pulsed
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
1.0
I
D
- Drain Current - A
10
100
100
|
10
20
30
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
GATE TO SOURCE CUTOFF VOLTAGE
vs. CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1.0
10
100
2.0
I
D
- Drain Current - A
R
D
Pulsed
I
D
= 10 A
5 A
2.5 A
–50
0
50
100
150
4.0
3.0
2.0
1.0
0
10
0.1
1.0
1.0
0.5
0
1.0
0
Pulsed
V
GS
= 10 V
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
PW - Pulse Width - s
1 000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1 000
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
R
th (ch-a)
= 83.3 C/W
R
th (ch-c)
= 1.67 C/W
T
C
= 25 C
Single Pulse
μ
μ
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PDF描述
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參數(shù)描述
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