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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2357 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | 2SK2357 |
2SK2357/2SK2358
5
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
1.6
1.2
0.8
0.4
0
–50
0
50
100
150
V
GS
= 10 V
T
ch
- Channel Temperature - °C
R
D
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
10
1.0
0.5
0.1
1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
t
r
I
D
- Drain Current - A
0
10
20
30
40
400
300
200
100
V
DS
V
GS
I
D
= 6 A
V
D
Q
g
- Gate Charge - nC
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Pulsed
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
1 000
100
51
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
V
GS
= 0
f = 1.0 MHz
1.0
0
0.05
50
10
5 000
C
iss
V
DD
= 400 V
250 V
125 V
I
D
= 6 A
10 V
V
GS
= 0
10
3 A
SWITCHING CHARACTERISTICS
1000
100
10
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
100
I
D
- Drain Current - A
t
d(off)
t
d(on)
1.0
10
0.5
t
f
t
r
C
oss
C
rss
800
600
400
1.0
10
100
di/dt = 50 A/ s
V
GS
= 10 V
200
0
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 25
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PDF描述 |
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