參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2346
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 64K
代理商： 2SK2346
2SK2346
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
4
8
12
16
20
Pulse Test
I = 15 A
10 A
5 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
0.01
Pulse Test
10 V
V = 4 V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
I = 15 A
V = 4 V
5 A, 10 A, 15 A
10 V
5 A, 10 A
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
50
20
10
2
5
1
0.5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Test
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PDF描述
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