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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2330L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 24K |
| 代理商： | 2SK2330L |
2SK2330(L), 2SK2330(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
500
V
Gate to source voltage
±
30
15
V
Drain current
A
Drain peak current
1
60
A
Body to drain diode reverse drain current
15
A
Channel dissipation
2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2330S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK2332 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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