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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2315 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SK2315 |
2SK2315
4
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
4
8
12
16
20
1 A
0.5 A
I = 2 A
Pulse Test
Ta = 25 °C
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source State Resistance
vs. Drain Current
0.1
5
2
1
0.2
0.5
0.1
0.05
0.2
0.5
1
2
5
10
10 V
Ta = 25 °C
Pulse Test
V = 3 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
1 A
0.5 A
V = 10 V
I = 2 A
V = 3 V
I = 2 A
1 A
0.5 A
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
V = 10 V
Pulse Test
Tc = –25 °C
25 °C
75 °C
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PDF描述 |
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| 2SK2315TYTR-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2316 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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