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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2220 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2SK2220 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2221 | |
| 2SK2204(L) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-262AA |
| 2SK2204(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2204L | |
| 2SK2204S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2220-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 180V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
| 2SK2221 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube |
| 2SK2221-E | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2222 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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