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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2212 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 2SK2212 |
2SK2212
5
5
4
3
2
1
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Pulse Test
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
4
8
12
16
20
I = 10 A
2 A
5 A
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
10
2
5
1
0.1
0.2
0.5
0.5
1
2
5
10
20
50
V = 10 V
15 V
Pulse Test
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
I = 10 A
V = 10 V
Pulse Test
2 A
5 A
0.1
F
Drain Current I (A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.3
1
3
10
30
100
10
2
5
1
0.1
0.2
0.5
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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