參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2137
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 4 A, 600 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SK2137
2SK2137
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
20
140
160
100
TC - Case Temperature - C
dT
-
Percentage
of
Rated
Current
-
%
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
10
100
1 000
100
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
20
10
80
0
40
1.0
10
0.1
60
20
60
40
80
100
120
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
20
140
160
30
TC - Case Temperature - C
P
T-
Total
Power
Dissipation
-
W
0
20
10
60
40
80
100
120
40
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
510
10
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
1.0
5
0
1
0
Pulsed
6 V
10 V
8 V
VGS = 20 V
VDS = 10 V
Pulsed
TA = 125 C
75 C
25 C
–25 C
ID (DC)
TC = 25 C
Single Pulse
10
ms
100
ms
Power
Dissipation
Limited
RDS
(on)
Limited
(V
GS
=
20
V)
1 ms
PW
=
10
s
100
s
ID (pulse)
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