參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2090
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-Channel MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SK2090
2SK2090
4
DRAIN TO SOURCE ON-STAGE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
,
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
r
,
I
D
- Drain Current - mA
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
30
20
10
7
I
D
= 10 mA
1
2
3
4
5
6
I
D
= 1 mA
10 mA
50 mA
10
2
100
V
GS
= 0
f = 1 MHz
2
5
1
0.5
0.2
0.1
1
5
10
20
50
C
iss
C
oss
C
rss
100
20
1000
V
DD
= 3 V
V
GS(on)
= 3 V
R
G
= 10
20
50
10
5
2
1
10
50
100
200
500
t
r
t
f
t
d(off)
t
d(on)
100
1.0
0.6
10
1
0
0.2
0.4
0.8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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