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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2075 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | 2SK2075 |
2SK2075
5
5
4
3
2
1
0
4
8
12
16
20
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Pulse Test
10 A
5 A
I = 20 A
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
1
0.5
0.2
0.1
0.05
5
2
Drain Current I (A)
D
R
D
1
2
5
10
20
50
100
10 V
V = 15 V
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
5 A
I = 20 A
D
Pulse Test
10 A
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
F
Drain Current I (A)
–25 °C
Tc = 25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Test
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2076 | Impedance Converter Applications |
| 2SK2083 | Very High-Speed Switching Applications |
| 2SK2084 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2090 | N-Channel MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING |
| 2SK2091 | N-Channel Junction Silicon FET for Impedance Converter Applications(阻抗轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的N溝道結(jié)型硅場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2076 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Impedance Converter Applications |
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| 2SK2078 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
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