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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1968 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | 2SK1968 |
2SK1968
7
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Pulse test
V = 0, –5 V
10 V
Reverse Drain Current vs. Source to
Drain Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
μ
100
μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 1.25
°
C/W, Tc = 25
°
C
θ γ θ
θ
D = 1
0.5
0.2
0.02
0.1
0.05
1sho Puse
Normal Transient Thermal Impedance vs. Pusle Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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