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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1957 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2SK1957 |
2SK1957
7
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
2
4
6
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V = 10 V
0, –5 V
Pulse Test
3
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Pulse Width PW (s)
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 Shot Pulse
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 4.17
°
C/W, T
C
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T.
Vout Monitor
R
L
V
DD
=
Waveforms
Vin
t
d
(on)
10%
t
r
90%
Vout
10%
90%
90%
t
f
t
d
(off)
10%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1958 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1959 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1960 | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
| 2SK1961 | N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 2SK1968 | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1957(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1958 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1958-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SWITCHING N CHANNCE MOSFET 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 16V 100mA 12 SC70 Tape & Reel |
| 2SK1959(T1-AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
| 2SK1960-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA |
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