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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1949 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SK1949 |
2SK1949(L), 2SK1949(S)
7
10
8
6
4
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Drain to Source Voltage V (V)
Pulse Test
R
D
V = 0, –5 V
10 V
5 V
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
2.5
2
1.5
1
0.5
Channel Temperature Tch (°C)
R
A
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
25
50
75
100
125
150
0
I = 5 A
V = 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E =
L I
2
1
V
V
– V
AP
DSS
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit and Waveform
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1949L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1949L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1954-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 180V 4A 650m@10V TO252 Cut Tape |
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