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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1910 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | 2SK1910 |
2SK1910
5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
2
4
6
8
10
0
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
I = 20 A
D
10 A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
5 A
Pulse Test
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
2
Drain Current I (A)
0.5
S
R
D
Pulse Test
V = 4 V
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.005
5
10
20
50
100 200
10 V
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
–40
0
40
80
120
Case Temperature T (°C)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
S
R
D
Pulse Test
I = 20 A
5 A, 10 A
20 A
V = 4 V
10 V
160
5 A, 10 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
0.5
2
10
Drain Current I (A)
100
F
|
V = 10 V
Pulse Test
Tc = –25°C
25°C
75°C
50
20
10
5
2
1
1
5
20
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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