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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1880 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SK1880 |
2SK1880(L), 2SK1880(S)
7
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
R
D
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (A)
Pulse Test
V = 10 V
0 V, –5 V
0
10
100
1 m
10 m
100 m
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
Pulse Width PW (S)
N
γ
μ
μ
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 shot Pulse
Tc = 25°C
0.01
1
θ
ch – c(t) = s(t).
ch – c = 6.25°C / W. Tc = 25°C
θ
P
D = T
PW
T
DM
θ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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