參數(shù)資料
型號： 2SK168
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel Junction FET
中文描述： 硅N溝道結(jié)場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2SK168
2SK168
5
2
20
10
5
200
0.2
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
0.5
1.0
0.1
O
o
Output Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
5
2
10
V
= 0
f = 1 MHz
50
100
0
10
30
5
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
P
Power Gain vs.
Drain to Source Voltage
10
15
V
GS
= 0
f = 100 MHz
20
0
10
30
4
6
8
10
2
Drain Current I
D
(mA)
Power Gain vs. Drain Current
14
12
16
V
= 5 V
f = 100 MHz
V
GS
Variable
20
D
E
F
4
2
8
4
8
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
N
Noise Figure vs.
Drain to Source Voltage
12
16
V
GS
= 0
f = 100 MHz
6
0
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PDF描述
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