參數(shù)資料
型號： 2SK1669
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SK1669
2SK1669
5
500
2
50
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
200
20
1
5
20
5
0.5
50
100
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 100 A/
μ
s, V
= 0
Ta = 25°C, Pulse Test
10
10
10,000
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
100
10
30
40
10
1,000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
500
80
200
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
400
100
40
120
160
0
200
300
V
DS
20
16
4
0
8
12
100 V
200 V
I
D
= 30 A
Pulse Test
100 V
50 V
V
DD
= 200 V
V
GS
V
GS
= 50V
G
G
500
2
50
Drain Current I
D
(A)
S 200
1
5
20
5
50
100
0.5
10
10
Switching Characteristics
t
f
t
d (on)
t
r
V
GS
= 10 V, V
DD
30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (off)
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