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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1636L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SK1636L |
2SK1636(L), 2SK1636(S)
4
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
1
30
10
3
1
0.3
0.1
3
1,000
300
100
10
30
100
DCOpeaion(T
C
=25C
PW=10m 1Sho)
10
μ
s
Ta = 25°C
Oeaini hsae
i mtdb R
DS(n
20
8
20
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Transfer Characteristics
16
4
4
12
16
0
8
12
D
D
V
GS
= 3.5 V
4.5 V
5 V
4 V
5.5 V
Pulse Test
10 V
8 V
20
4
10
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Transfer Characteristics
16
4
2
6
8
0
8
12
D
D
V
= 10 V
Pulse Test
Ta
= 75°C
25°C
–25°C
10
4
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
8
2
2
6
8
0
4
6
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
I
D
= 15 A
10 A
5 A
Pulse Test
5
100
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
2
5
10
20
50
V
GS
= 10 V
Pulse Test
15 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1636S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1637 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK163 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1648 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1648L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1636S(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK1637(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1642 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1647L-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1647STL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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