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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1526 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2SK1526 |
2SK1526, 2SK1527
5
10
4
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
8
2
2
6
8
0
4
6
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
20 A
I
D
= 50 A
Pulse Test
10 A
5
10
200
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
2
0.1
5
20
100
2
0.5
1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.2
0.05
50
V
GS
= 10 V, 15 V
Pulse Test
0.5
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
0.4
0.1
0
80
120
0
–40
0.2
0.3
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
I
D
= 50 A
V
= 10 V
Pulse Test
20 A
10 A
100
1
50
Drain Current I
D
(A)
F
y
50
5
0.5
2
10
1
10
20
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
V
DS
= 10 V
Pulse Test
2
5
20
75°C
25°C
T
C
= –25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK152 | 2SK152 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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