參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1522
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 49K
代理商： 2SK1522
2SK1521, 2SK1522
5
5
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
4
1
4
12
16
0
2
3
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
I
D
= 10 A
20 A
50 A
1
500
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
5
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
20
50
100
200
V
GS
= 10, 15 V
Pulse Test
0.5
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
0.4
0.1
0
80
120
0
0.2
0.3
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
–40
Pulse Test
I
D
= 50 A
20 A
10 A
50
50
Drain Current I
D
(A)
F
y
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
0.5
1
2
5
10
20
20
10
5
2
1
0.5
V
= 20 V
Pulse Test
T
C
= –25°C
25°C
75°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1521 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1526 Silicon N-Channel MOS FET
2SK152 2SK152
2SK1541LS Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1575 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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