參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1303
廠(chǎng)商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 50K
代理商： 2SK1303
2SK1303
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
100
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
30
A
Drain peak current
120
A
Body to drain diode reverse drain current
30
A
Channel dissipation
100
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK1305 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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2SK1303-E 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET
2SK1304 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET
2SK1304-E 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET
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