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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1301 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SK1301 |
2SK1301
5
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
8
4
2
0
10
1.0
1.5
2.0
2.5
0.5
D
V
D
(
Pulse Test
I
D
= 5 A
10 A
20 A
10
Drain Current I
D
(A)
20
5
2
100
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
0.01
0.005
50
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
S
R
D
(
)
V
GS
= 4 V
10 V
Pulse Test
80
Case Temperature T
C
(°C)
120
40
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
–40
0
160
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
S
R
D
(
)
I
D
= 20 A
Pulse Test
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
5 A
10 A
5 A
10 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1
0.2
0.5
1.0
2
5
20
Drain Current I
D
(A)
10
F
y
0.5
T
C
= 25°C
75°C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
–25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1302 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1303 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1304 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1305 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1306 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1301(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1301-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1302 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| 2SK1302-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1303 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
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