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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1296 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SK1296 |
2SK1296
5
80
Case Temperature T
C
(°C)
120
40
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
–40
0
160
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
S
R
D
(
)
I
D
= 20 A
5 A,10 A
Pulse Test
V
GS
= 4 V
V
GS
= 10 V
5 A20 A
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
50
20
10
5
2
1.0
0.5
1.0
2
5
10
50
Drain Current I
D
(A)
20
F
y
T
C
= 25°C
75°C
V
= 10 V
Pulse Test
–25°C
1000
500
200
100
50
20
10
0.5
1.0
Reverse Drain Current I
DR
(A)
5
50
10
2
20
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
R
di/dt = 50 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10000
1000
100
10
C
0
10
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
30
40
V
= 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
100
80
60
40
20
0
40
120
160
Gate Charge Qg (nc)
80
20
16
12
8
4
Dynamic Input Characteristics
D
D
G
G
200
0
V
DS
V
GS
V
DD
= 100 V
50 V
V
= 50 V
25 V
10 V
I
D
= 30 A
Switching Characteristics
500
200
100
50
10
5
0.5
1.0
5
50
Drain Current I
D
(A)
10
2
20
S
20
t
d
(off)
t
f
V
= 10 V
PW = 2
μ
s, duty < 1 %
t
d (on)
t
r
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1297 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1298 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1299 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1299L | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1299S | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1297 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1298 | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Bulk |
| 2SK1298-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1299 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
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