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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1197 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | POWER, FET |
| 封裝： | TO-126MOD, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 18K |
| 代理商： | 2SK1197 |
2SK1197
Silicon N-Channel enhanced MOS FET
Application
High frequency amplifier
Features
High endurance capability against static electrical breakdown (C = 200pF)
— Between Gate from Source : 500 V Typ
— Between Drain from Source : 1000 V Min, 1500 V Typ
Wide forward transfer admittance
|y
fs| = 150 mS Typ
High breakdown voltage
V
DSS = 100V
Small output capacitance (Coss ≤ 10 pF)
Outline
1
2
3
TO-126 MOD
1. Drain
2. Source
3. Gate
S
G
D
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PDF描述 |
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