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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1157 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | 2SK1157 |
2SK1157, 2SK1158
5
10
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
8
2
4
12
16
0
4
6
I
D
= 2 A
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
5 A
Pulse Test
10 A
5
2
50
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
2
0.1
1.0
5
20
0.5
0.5
1.0
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
V
GS
= 10 V
Pulse Test
15 V
0.2
0.05
10
2.0
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
S
)
1.6
0.4
0
80
120
0
–40
0.8
1.2
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
2, 5 A
I
D
= 10 A
50
0.5
10
Drain Current I
D
(A)
F
y
20
2
1.0
5
0.5
5
10
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
V
= 20 V
Pulse Test
0.1
1.0
2
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
0.2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1158 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK1157-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1158 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1158-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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