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參數資料
| 型號： | 2SK1095 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SK1095 |
2SK1095
4
Power vs. Temperature Derating
60
40
20
C
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Maximum Safe Operation Area
500
300
1
100
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
30
3
D
D
1.0
0.3
1.0
3
10
30
100
10
0.5
Ta = 25°C
1ms
DCOpeaion(T
C
=25C
1
μ
s
100
μ
s
O aeaislmted
byR
DS(on
3
1.0
0.1
0.03
0.01
0.3
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
Pulse Width PW (s)
θ
ch–c(t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 4.17°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
PW
T
D =
T
PW
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
S
1 Shot Pulse
T
C
= 25°C
0.01
0.05
0.02
0.2
0.1
0.5
D = 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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