型號(hào): | 2SK0662 |
廠商: | PANASONIC CORP |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | Silicon N-Channel Junction FET |
中文描述: | 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
封裝: | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 2/3頁(yè) |
文件大?。?/td> | 84K |
代理商: | 2SK0662 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK0663 | For Low-Frequency Amplification |
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2SK0664 | For Switching |
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2SK0665 | Silicon MOS FETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK0662(2SK662) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs |
2SK06620RL | 功能描述:JFET N-CH 30V 20MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK0663 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Low-Frequency Amplification |
2SK0663(2SK663) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs |
2SK06630RL | 功能描述:JFET N-CH 55V 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開(kāi)):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |