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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK0614(2SK614) |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 小信號デバイス-小信號場效應管-場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | 2SK0614(2SK614) |
2002 JUL
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK0615(2SK615) | 小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET |
| 2SK0620 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK0620(2SK620) | 2SK0620 (2SK620) - N-Channel MOS FET |
| 2SK0655(2SK655) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK0656(2SK656) | 小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK0615 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK0615(2SK615) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET |
| 2SK0620 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-236 |
| 2SK0620(2SK620) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SK0620 (2SK620) - N-Channel MOS FET |
| 2SK0655 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For Switching |
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