參數(shù)資料
型號(hào): 2SK0601G
廠商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, POWER, MINIP3-F2, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 209K
代理商: 2SK0601G
2SK0601G
3
SJF00075AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MiniP3-F2
Unit: mm
1.60 ±0.20
4.50 ±0.10
4.00
±
0.20
0.40 ±0.08
0.50 ±0.08
1
2
3
2.60
±
0.10
0.50
max.
3.00 ±0.15
(5
°)
1.50 ±0.10
2.50
±
0.10
0.41 ±0.03
1.50 ±0.10
1.00
±
0.10
(45°)
(5°)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK0620 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
2SK0662GQ 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK0662G 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK0663GQ 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
2SK0663GP 30 mA, 55 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK0601G0L 功能描述:MOSFET N-CH 80V .5A MINIP-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK0614 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:For switching
2SK0614(2SK614) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス - 小信號(hào)FET - MOS FET
2SK0615 功能描述:MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK0615(2SK615) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:小信號(hào)デバイス - 小信號(hào)FET - MOS FET