型號: | 2SJ660-TL |
廠商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 26 A, 60 V, 0.094 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | SMP-FD, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 39K |
代理商: | 2SJ660-TL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SJ667 | 42 A, 100 V, 0.074 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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2SJ74 | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
2SJ74-BL | P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
2SJ76-E | 0.5 A, 140 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SJ661_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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2SJ661-DL-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
2SJ661-DL-E | 功能描述:MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |