參數(shù)資料
型號: 2SJ651
廠商: SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類: JFETs
英文描述: 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220ML, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大?。?/td> 38K
代理商: 2SJ651
2SJ651
No.7501-4/5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
0
100
7
1000
5
7
5
3
2
3
2
--30
--5
--15
--20
--25
--10
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT06178
0
--2
--1
--4
--3
--5
--6
--7
--8
--9
45
25
30
35
40
10
515
20
--10
VGS -- Qg
IT06179
VDS= --30V
ID= --20A
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
-
W
Case Temperature, Tc --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
-
W
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
2
--100
--1.0
--0.1
2
3
57
2
3
5
7
2
3
57
--0.1
--1.0
--10
--100
IT06180
0
20
40
0.5
60
1.5
1.0
80
100
120
2.0
2.5
140
160
PD -- Ta
IT06181
Operation in this area
is limited by RDS(on).
ID= --20A
IDP= --80A
DC
operation
≤10s 10
s
100
s
10ms
100ms
1ms
Tc=25
°C
Single pulse
0
20
40
60
80
100
120
25
20
15
5
10
30
140
160
PD -- Tc
IT06182
0
25
50
75
100
125
150
100
80
60
20
40
120
175
EAS -- Ta
A
valanche
Ener
gy
derating
factor
--
%
IT10417
Ambient Temperature, Ta --
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ663-TL 9 A, 100 V, 0.45 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ664 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ664-TL 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ666 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ666-TL 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SJ652 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SJ652_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
2SJ652-1E 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS(導通):4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel