參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ649
英文描述： 2SJ649 Data Sheet | Data Sheet[05/2003]
中文描述： 2SJ649數(shù)據(jù)表|數(shù)據(jù)表[05/2003]
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： 2SJ649
Data Sheet D16332EJ1V0DS
3
2SJ649
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
d
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- Case Temperature -
°
C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
- 0.1
- 1
- 10
- 100
- 0.1
- 1
- 10
- 100
R
DS(on)
Limited
(at V
GS
=
10 V)
10 ms
DC
1 ms
PW = 100
μ
s
I
D(pulse)
I
D(DC)
Single pulse
T
C
= 25
°
C
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
°
C
0.01
0.1
1
10
100
R
th(ch-C)
= 5.0
°
C/W
R
th(ch-A)
= 62.5
°
C/W
Single pulse
PW - Pulse Width - s
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ651 P CHANNEL SILICON TRASISTOR
2SJ667 2SJ667
2SJ74BL TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SJ74GR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ74V TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全稱(chēng):Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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