參數(shù)資料
型號： 2SJ648
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 400 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： USM, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： 2SJ648
Data Sheet D16597EJ2V0DS
3
2SJ648
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
P
T-
Total
Power
Dissipation
-
mW
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounted on ceramic substrate of
300 mm
2 × 0.64 mm
I
D
-
Drain
Current
-
A
0
- 0.4
- 0.8
- 1.2
- 1.6
0
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
Pulsed
2.5 V
VGS =
4.5 V
4.0 V
TA - Ambient Temperature -
°C
VDS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
I
D
-
Drain
Current
-
A
- 0.0001
- 0.001
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
0
- 1
- 2- 3- 4
VDS =
10 V
Pulsed
TA = 125°C
75°C
25°C
V
G
S
(off)
-
Gate
Cut-off
Voltage
-
V
- 0.6
- 0.8
- 1
- 1.2
- 1.4
- 1.6
- 50
0
50
100
150
VDS =
10 V
ID =
1.0 mA
VGS - Gate to Source Voltage - V
Tch - Channel Temperature -
°C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
0.01
0.1
1
10
- 0.001
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
TA =
25°C
75°C
125°C
VDS =
10 V
Pulsed
0
1
2
3
4
- 50
0
50
100
150
Pulsed
VGS =
2.5 V, ID = 0.15 A
VGS =
4.0 V, ID = 0.20 A
VGS =
4.5 V, ID = 0.20 A
|y
fs
|-
Forward
Transfer
Admittance
-
S
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
Tch - Channel Temperature -
°C
240
200
160
120
80
40
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ660-TL 26 A, 60 V, 0.094 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ667 42 A, 100 V, 0.074 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ667 42 A, 100 V, 0.074 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ74 P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2SJ74-BL P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ648-T1-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,20V,0.4A,1.17ohm,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R
2SJ649 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*