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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ645 |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | TP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | 2SJ645 |
2SJ645
No.8334-3/4
3
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0
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0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
RDS(on) -- VGS
IT09645
RDS(on) -- Ta
IT09646
0
--20
--18
--16
--4
--10
--8
--6
--12
--14
--2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT09650
IT09648
IS -- VSD
IT09647
yfs -- ID
--1.2
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--0.6
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0
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--0.01
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5
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2
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3
2
5
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--10
0.1
3
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1.0
7
5
2
3
7
5
2
--0.1
--1.0
--10
--0.01
23
5
7
23
5
7
23
5
7
Ta=25
°C
ID= --2A
--4
A
ID=
--2A,
VGS
= --2.5V
ID=
--4A,
VGS
= --4.5V
Ta=
--25
°C
75
°C
25°
C
VDS= --10V
Ta
=
75
°C
25
°C
--
25
°C
VGS=0V
f=1MHz
Coss
Ciss
Crss
IT09649
--10
--0.1
23
5
7
23
5
7
--1.0
SW Time -- ID
td(off)
tf
td(on)
t r
VDD= --10V
VGS= --4.5V
3
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--0.1
7
5
2
3
7
5
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2
--10
7
23
5
2
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23
5
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7 --10
IT09652
A S O
IT09651
01
23
4
9
8
57
6
0
--1.0
--2.0
--2.5
--3.5
--4.0
--0.5
--1.5
--3.0
--4.5
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --8A
IDP= --32A
ID= --8A
100
s
1ms
10ms
DC
operation
<10
s
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ambient Temperature, Ta --
°C
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Tc=25
°C
Single pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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