參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ599
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251
封裝： TO-251, MP-3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 237K
代理商： 2SJ599
Data Sheet D14644EJ4V0DS
6
2SJ599
SINGLE AVALANCHE ENERGY vs.
INDUCTIVE LOAD
L - Inductive Load - H
E
AS
-
Single
Avalanche
Energy
-
mJ
1
10
100
1 m10 m
VDD = –30 V
RG = 25
Ω
VGS = –20
→ 0 V
IAS = –20 A
10
μ
100
μ
0.1
E
AS = 40
mJ
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting Tch - Starting Channel Temperature - C
Energy
Derating
Factor
-
%
25
50
75
100
160
140
120
100
80
60
40
20
0
125
150
VDD = –30 V
RG = 25
Ω
VGS = –20
→ 0 V
IAS
≤ –20 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ599 20000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SJ603-Z 25 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ603-ZJ-AZ 25 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SJ603-S 25 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
2SJ603-Z-AZ 25 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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