參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ594TP-FA
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 5A條（?。﹟對(duì)252VAR
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 33K
代理商： 2SJ594TP-FA
2SJ594
No.6977-2/4
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25
°
C
Parameter
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
Conditions
Ratings
Unit
V
V
A
A
W
W
°
C
°
C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
--60
±
20
--5
--20
PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
Allowable Power Dissipation
PD
1
Tc=25
°
C
15
150
Channel Temperature
Storage Temperature
Tch
Tstg
--55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1mA, VGS=0
VDS=--60V, VGS=0
VGS=
±
16V, VDS=0
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--3A
ID=--3A, VGS=--10V
ID=--1A, VGS=--4V
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
VDS=--20V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--5A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--5A
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--5A
IS=--5A, VGS=0
--60
V
μ
A
μ
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
--10
±
10
--2.4
--1.0
3.2
4.5
225
305
350
90
25
Static Drain-to-Source On-State Resistance
295
425
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Marking : J594
8
15
37
28
12
1.7
2.9
--0.9
--1.2
Switching Time Test Circuit
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--10V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --3A
RL=10
VDD= --30V
VOUT
2SJ594
VIN
D
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