參數(shù)資料
型號： 2SJ586
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
中文描述： 硅P通道MOS FET的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： 2SJ586
2SJ586
3
Main Characteristics
Drain to Source Voltage VDS
D
D
Typical Output Characteristics
0
–2
–4
–6
–8
–10
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
GS
–8 V
–5 V
–3 V
–4 V
Pulse Test
–2 V
–10 V
–7 V
–6 V
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
–1
–2
–3
–4
–5
Gate to Source Voltage VGS
Typical Transfer Characteristics
25 °C
VDS
Pulse Test
75 °C
Tc = –25 °C
D
D
-0.1
Drain to Source Voltage DS
-1.0
-10
-50
-5
-1.0
-0.5
-0.1
-0.05
-0.01
-0.005
-0.001
-0.0005
10 μs
100 μs
1 ms
PW = 10 ms
(1 shot)
DCOpeaion
Ta = 25 °C
Maximum Safe Operation Area
Operation in this area
is limited by RDS(on)
D
D
400
300
200
100
0
50
100
150
200
P
Ambient Temperature Ta ( °C)
Power vs. Temperature Derating
-0.002
-0.02
-0.2
-2
-0.05
-0.2
-0.5
-2
-5
-20
*Value on the alumina ceramic board.(12.5x20x0.7mm)
Value on the alumina ceramic board.(12.5x20x0.7mm)
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PDF描述
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