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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ543 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SJ543 |
2SJ543
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
E
AR
Pch
Note2
–60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
–20
A
Drain peak current
Note1
–80
A
Body-drain diode reverse drain current
–20
A
Avalanche current
Note3
–20
A
Avalanche energy
Note3
34
mJ
Channel dissipation
75
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SJ544 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ545 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ546 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ547 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ548 | Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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