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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ466 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | SOCKET-DPDT,8-PIN SLIM |
| 中文描述： | 超高速開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | 2SJ466 |
2SJ466
No.5491–2/4
Continued from preceding page.
Switching Time Test Circuit
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
0V
--10V
Vin
P.G
50
G
S
ID=--18A
RL=1.67
VDD=--30V
VOUT
2SJ466
Vin
D
0
--2
Drain-to-Source Voltage, V
DS
– V
--4
--6
--8
--10
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
--70
ID -- VDS
-4.5V
--4.0V
--3.5V
--3.0V
--2.5V
--1.0
5
7
3
3
7
--10
2
5
--100
1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
10
100
y
fs
-- ID
25
°
C
75
°
C
Tc=-25
°
C
VDS=--10V
VG=-.V
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
0
10
20
30
40
50
60
RDS(on) -- VGS
Tc=25
°
C
ID=--18A
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
0
--10
--20
--30
--40
--50
--60
--70
ID -- VGS
25
°
C
7
°
C
T-5
°
C
VDS=--10V
IT00681
IT00683
IT00682
IT00684
D
D
D
D
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
F
Drain Current, I
D
– A
Gate-to-Source Voltage, V
GS
– V
S
O
D
r
m
a
P
l
b
m
y
S
s
n
o
n
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C
s
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R
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C
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H
H
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M
M
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T
t
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T
0
=
1
1
1
T
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V
=
V
0
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V
0
1
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A
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1
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0
8
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F
F
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t
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tf
VD
S
e
g
a
V
V
S
G
5
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ471 | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ479 | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ479L | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ479S | Silicon P Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SJ485TP | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SJ467 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SJ468 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SJ469 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5A I(D) | SO |
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