參數(shù)資料
型號： 2SJ321
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P溝道場效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/5頁
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代理商： 2SJ321
2SJ321
4
30
20
10
C
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
0
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.1
–1
–10
–30 –100
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–0.3
–3
lmtedb R
DSon
Ta = 25°C
10μs
10s
PW=1m 1so)
DCOpeaion(T =25C
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
Pulse Width PW (S)
N
γ
μ
μ
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 shot Pulse
Tc = 25°C
θ
ch – c(t) = s(t) ch – c
θ
P
D = T
PW
T
DM
.
0.01
Noremalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述
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2SJ326 Box-shaped pin header, Discrete wire crimping connection, Discrete wire connectors; HRS No: 543-0699-4 00; No. of Positions: 6; Connector Type: Panel; Contact Gender: Male; Contact Spacing (mm): 2; Terminal Pitch (mm): 2; Current Rating(Amps)(Max.): 2; Contact Mating Area Plating: Tin; Operating Temperature Range (degrees C): -30 to 85; General Description: In-line adapter; Both ends male contacts; Pin contact
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