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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ319S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SJ319S |
2SJ319(L), 2SJ319(S)
3
20
15
10
5
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
–50
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.05
–1
–3
–10
–30
–100
–300 –500
100μs
1ms
PW=10ms(1sho)
Operation in
DS(on)
Ta = 25 °C
DCOpeaion(Tc=25°C
–5
–4
–3
–2
–1
0
–4
–8
–12
–16
–20
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Pulse Test
Typical Output Characteristics
–10 V
–8 V
–6 V
–5 V
–4 V
V = –3.5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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