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參數資料
| 型號： | 2SJ293 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 29K |
| 代理商： | 2SJ293 |
2SJ293
4
0
15
30
45
C
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.1
–1
–10
–30 –100
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–0.3
–3
lmtedb R
DSon
Ta = 25°C
10μs
10s
PW=1m 1so)
DCOpeaion(T =25C
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
Pulse Width PW (S)
N
γ
μ
μ
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 shot Pulse
Tc = 25°C
θ
ch – c(t) = s(t) ch – c
θ
P
D = T
PW
T
DM
.
0.01
Noremalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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