- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369194 > 2SJ293 (Hitachi,Ltd.) Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ293 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | 2SJ293 |
2SJ293
4
0
15
30
45
C
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.1
–1
–10
–30 –100
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–0.3
–3
lmtedb R
DSon
Ta = 25°C
10μs
10s
PW=1m 1so)
DCOpeaion(T =25C
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
Pulse Width PW (S)
N
γ
μ
μ
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 shot Pulse
Tc = 25°C
θ
ch – c(t) = s(t) ch – c
θ
P
D = T
PW
T
DM
.
0.01
Noremalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ294 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ295 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220FN |
| 2SJ296(L) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ296(S) | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263AB |
| 2SJ296L | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ294 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ295 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SJ295(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SJ296(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ296(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263AB |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。