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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ290 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | 2SJ290 |
2SJ290
5
Typical Transfer Characteristics
V = –10 V
Pulse Test
D
Tc = –25°C
D
–20
–16
–12
–8
–4
–1
–2
–3
–4
–5
Gate to Source Voltage V (V)
25°C
75°C
0
Pulse Test
0
–2
–4
–6
–8
–10
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
D
V
D
–5
–4
–3
–2
–1
I = –20 A
–10 A
–5 A
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
S
R
D
Drain Current I (A)
V = –4 V
Pulse Test
–10 V
–1
–2
–5
–10 –20
–50 –100
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
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參數(shù)描述 |
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