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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ279L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SJ279L |
2SJ279(L), 2SJ279(S)
6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–40
Case Temperature Tc (°C)
0
40
80
120
160
I = –5 A
–1, –2 A
–5 A
–1, –2 A
V = –10 V
Pulse Test
–4 V
S
R
D
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
20
10
5
2
1
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
Pulse Test
V = –10 V
25°C
75°C
Tc = –25°C
Drain Current I (A)
F0.5
–5
–4
–3
–2
–1
0
Source to Drain Voltage V (V)
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2
V = –10 V
–5 V
0, 5 V
R
D
Pulse Test
Reverse Drain Current vs. Source to Drain Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ279S | Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 2SJ280(L) | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ280(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ281FA | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252VAR |
| 2SJ289 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ280 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ280(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262AA |
| 2SJ280(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| 2SJ280L | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ280S | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:SILICON P-CHANNEL MOS FET |
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